如果剔除HBM的增长因素和中国新增的产能,全球三大DRAM厂商(三星、SK海力士、美光)在未来几年的位产量增长将会显著降低,仅预计增长15%。这一数据反映了DRAM市场逐渐趋于稳定,且竞争压力不断加大,尤其是在技术升级和市场需求转型的背景下。

此外,HBM的供应情况,特别是HBM3e版本,预计将持续紧张。HBM3e作为最新一代高带宽内存,其高性能和低功耗特点使其在高端计算和数据中心应用中备受青睐。随着AI、机器学习、深度学习等高性能计算需求的激增,HBM3e的需求也在不断上升。然而,供应链的瓶颈、技术难度以及生产工艺的挑战,都可能导致HBM的供应在短期内难以满足市场需求。

因此,虽然全球DRAM市场整体增长强劲,但高带宽内存(HBM)的供应紧张,以及中国市场的特殊需求结构,都可能成为影响未来几年的DRAM市场格局的重要因素。DRAM厂商将面临更加复杂的市场环境,需要在生产能力、技术创新和市场战略上进行精细调整,以应对不断变化的需求和激烈的竞争。4o

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